文/陳根

日前IEEE電子電器工程師協(xié)會(huì)宣布，F(xiàn)inFET晶體管發(fā)明人胡正明（Chenming Hu）獲得了2020年的IEEE 榮譽(yù)獎(jiǎng)?wù)拢@是IEEE協(xié)會(huì)的最高獎(jiǎng)勵(lì)。

胡正明是誰？

胡正明，1947年7月出生于中國(guó)北京，微電子學(xué)家，美國(guó)工程科學(xué)院院士、中國(guó)科學(xué)院外籍院士，美國(guó)加州大學(xué)伯克利分校杰出講座教授。1997年當(dāng)選為美國(guó)工程科學(xué)院院士，2007年當(dāng)選中國(guó)科學(xué)院外籍院士，2015年12月獲得美國(guó)國(guó)家技術(shù)和創(chuàng)新獎(jiǎng)。2016年5月19日，美國(guó)總統(tǒng)奧巴馬在白宮為胡正明頒發(fā)美國(guó)國(guó)家科學(xué)獎(jiǎng)?wù)隆：鹘淌谑俏㈦娮游⑿突锢砑翱煽啃晕锢硌芯康囊晃恢匾_拓者，對(duì)半導(dǎo)體器件的開發(fā)及未來的微型化做出了重大貢獻(xiàn)。

他最偉大的貢獻(xiàn)之一就是發(fā)明了鰭式場(chǎng)效晶體管 (FinFET) ，這一技術(shù)使得摩爾定律延壽了數(shù)十年。自從1965年，Intel聯(lián)合創(chuàng)始人戈登·摩爾提出“摩爾定律”以來，半導(dǎo)體工藝一直按照這個(gè)規(guī)律發(fā)展——2年提升一倍的晶體管密度。按照之前的摩爾定律，今天的半導(dǎo)體原本應(yīng)該終結(jié)了。因?yàn)榘凑罩暗陌l(fā)展，傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體工藝制造難度越來越大，特別是在28nm工藝之后。

胡正明教授在半導(dǎo)體開發(fā)與微型化這個(gè)問題上貢獻(xiàn)非常大，他于1999年發(fā)明了FinFET晶體管，也叫鰭式晶體管或者3D晶體管，就是因?yàn)榫w管的形狀與魚鰭相似。 

胡正明教授所領(lǐng)導(dǎo)的研究小組開發(fā)出了世界上體積最小，但是通過電流卻最大的半導(dǎo)體晶體管。這種新型的晶體管可以使1個(gè)電腦芯片的容量比從前提高400倍。而Intel在2012年正式量產(chǎn)了3D晶體管技術(shù)，首發(fā)的是22nm工藝。當(dāng)時(shí)臺(tái)積電、三星還停留在28nm工藝上，之后在16/14nm節(jié)點(diǎn)上他們才進(jìn)入了FinFET晶體管時(shí)代。

從這一點(diǎn)上來說，胡正明教授發(fā)明的FinFET技術(shù)不僅拯救了摩爾定律，同時(shí)也改變了整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展方向，使得Intel、AMD、NVIDIA、蘋果、華為、高通、三星等半導(dǎo)體行業(yè)的公司都受益于胡正明教授的發(fā)明。