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中科大在InGaAs單光子探測芯片取得重要進展

澎湃新聞記者 王蕙蓉
2022-05-25 14:33
來源:澎湃新聞
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近日,中國科學技術大學光學與光學工程系教授王亮課題組設計并制備的InGaAs(砷化銦鎵)單光子探測器芯片取得重要進展。

前述團隊通過設計金屬—分布式布拉格反射器優化單光子探測器芯片的光學性能,完成低本征暗計數的單光子探測器芯片的全自主化設計與制備,實現了單光子探測器芯片的全國產化,為解決我國前沿科技問題邁進了重要一步。相關成果在線發表于電子工程技術領域期刊Journal of Lightwave Technology。

圖片來自Journal of Lightwave Technology

基于InGaAs材料的半導體單光子雪崩二極管(SPAD)具有單光子級別的高靈敏度、短波紅外波段的人眼安全、大氣窗口波段低損耗、穿透霧霾、低功耗、小尺寸、易于集成等優秀特點。

前述優點使SPAD在量子信息技術、主被動的焦平面探測器、城市測繪、激光雷達等多個領域均發揮著重要作用,具有民用、商用以及軍用價值。

中科大團隊通過調整MOCVD的溫度、V/III比、摻雜濃度等生長參數,實現低缺陷密度和高摻雜精度的外延結構生長。其中,MOCVD是在氣相外延生長(VPE)的基礎上發展起來的一種新型氣相外延生長技術。

(a)SPAD的器件結構示意圖,(b)12μm窗口的超低暗計數SPAD芯片及測試結果,圖片來自中科大

團隊在SPAD器件結構的基礎上,提出并設計了新型的寬譜(全光通信波段)全反射鏡,即金屬—分布式布拉格反射鏡,用以提升SPAD芯片的光電吸收效率。其制備的12μm(微米)窗口的低暗計數SPAD,在溫度233K(開氏度)及10%的探測效率下具有127Hz(赫茲)的超低本征暗計數,比國外同類產品低一個量級,擁有更優的器件性能,此芯片可滿足量子通信等應用的單光子探測使用需求,并可替代進口器件。

論文通訊作者為中國科學技術大學光學與光學工程系教授王亮,論文第一作者為博士研究生張博健。此項研究得到國家科技部、國家自然科學基金委和安徽省科技廳資助,獲得中國科大物理學院、中國電子科技集團第13研究所、中國科大微納研究與制造中心、中國科學院量子信息重點實驗室支持。

    責任編輯:李躍群
    澎湃新聞報料:021-962866
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