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國家存儲器基地落戶武漢,填補國內(nèi)主流存儲器領(lǐng)域空白

新華網(wǎng)
2016-03-29 14:16
來源:澎湃新聞
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國家存儲器基地28日在武漢光谷正式開工建設(shè)。

總投資240億美元的國家存儲器基地項目28日在武漢東湖高新區(qū)正式啟動,這將打破我國主流存儲器領(lǐng)域的空白。

基地項目以芯片制造環(huán)節(jié)為突破口,集存儲器產(chǎn)品設(shè)計、技術(shù)研發(fā)、晶圓生產(chǎn)與測試、銷售于一體。建設(shè)內(nèi)容包括芯片制造、產(chǎn)業(yè)鏈配套等,將在5年內(nèi)投資240億美元,預(yù)計到2020年形成月產(chǎn)能30萬片的生產(chǎn)規(guī)模,到2030年建成每月100萬片的產(chǎn)能。

為保證項目順利實施,國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、國開發(fā)展基金、湖北省科技投資集團共同出資作為股東,將在武漢新芯集成電路制造有限公司的基礎(chǔ)上組建一家公司作為該項目的實施主體公司。

據(jù)介紹,存儲器是最大宗的集成電路產(chǎn)品,也是我國進口金額最大的集成電路產(chǎn)品。我國是全球最大的電子信息產(chǎn)業(yè)基地,電子整機所用存儲器市場需求約2465.5億元,占我國集成電路市場規(guī)模的23.5%。此項目的建設(shè)將填補我國主流存儲器領(lǐng)域空白,擺脫芯片受制于人的局面。

    澎湃新聞報料:021-962866
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